快科技12月18日音讯，据韩国媒体报说念，三星电子正加速布局下一代DRAM时间，在第六代DRAM尚未量产之际，已入部下手开荒第七代（1d）DRAM的测试线。

报说念称，三星已在平泽P2厂建置10纳米级的第七代DRAM测试线，并预测来岁第一季度皆备建成，以擢升良率并拉开与竞争敌手的时间差距。

这条被称为“单旅途线”的测试线，将用于测试新半导体居品的量产后劲，一朝下一代芯片性能在研发阶段细目，就会在此引进晶圆，运行擢升量产良率。

现在尚不细目平泽10纳米级第七代DRAM厂房的领域，但每每装置测试线每月可处分约1万片晶圆。

三星假想在2026年前量产第七代DRAM，而其前身第六代（1c）DRAM假想来岁（2025年）量产，因此，第七代测试线与第六代DRAM量产的准备职责同步进行。

业界以为，三星在第六代DRAM还未插足量产阶段前就为第七代建置厂房，是为了来岁重夺上风的起步年所进行的投资。

三星HBM商场被第二大公司SK海力士夺走，10纳米级第六代内存的开荒速率也过期于敌手，为了夺回疏导地位，三星必须加速居品开荒速率。

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